[发明专利]等离子体处理的方法和装置无效
| 申请号： | 200580016941.3 | 申请日： | 2005-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1957104A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 乔则夫·布卡 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 描述了一种沉积系统(100)及其操作方法，该沉积系统和方法用于利用高密度等离子体在大高宽比特征结构中沉积保形金属或其他具有类似响应性的涂覆材料膜。沉积系统包括分别用于形成等离子体和将金属蒸气引入到沉积系统(100)的等离子体源(120)和分布式金属源(130)。沉积系统被配置为形成具有某一等离子体密度的等离子体并生成具有某一金属密度的金属蒸气，其中衬底附近的金属密度对等离子体密度的比值小于或等于1。该比值应当至少存在于距离衬底(114)的表面为大约20％的衬底直径的距离内。希望获得在所述衬底的整个表面基本具有± 25％的均匀性的比值。该比值对于超过1012cm－3的等离子体密度尤其有效，并且对于在具有纳米量级特征结构的衬底上沉积膜的应用尤其有效，其中最大膜厚小于特征结构宽度的一半，例如为特征结构宽度的20％。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于在衬底上的大高宽比特征结构中形成薄膜的沉积系统，包括：处理室；耦合到所述处理室并且被配置为支撑所述衬底的衬底夹持器；耦合到所述处理室并且被配置为在所述处理室内形成等离子体的等离子体源；以及耦合到所述处理室并且被配置为将金属引入到所述处理室的金属源，其中所述等离子体源和所述金属源被配置为在所述衬底上方产生小于1的金属密度和等离子体密度之间的比值。
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