[发明专利]肖特基器件无效
| 申请号： | 200580017337.2 | 申请日： | 2005-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101142684A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 维杰伊·帕萨撒拉希;维施努·K.·基姆卡;朱荣华;阿米塔瓦·博斯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/80;H01L27/01;H01L29/76;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 常规的肖特基二极管(16)或具有肖特基二极管特性的器件(90)与MOS晶体管(18、92)串行耦合，以对漏电流和击穿电压提供了显著的改进，而前向电流只有小的降低。在反向偏置情况下，有一个小的反向偏置电流，但通过肖特基二极管(16、90)的电压由于MOS晶体管(18、92)而保持较小。几乎所有的反向偏置电压都通过MOS晶体管(18、92)，直至MOS晶体管(18、92)损坏。然而，因为肖特基二极管限制了电流，所以该晶体管损坏不是一开始就损坏的。随着反向偏置电压持续增加，肖特基二极管(16、90)开始吸收更多的电压。这增加了漏电流，而击穿电压相当于晶体管(18、92)和肖特基二极管(16、90)之间的和。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有正极端子和负极端子的肖特基器件，包括：具有正极端子和负极端子的类肖特基器件，其中类肖特基器件的正极端子作为肖特基器件的正极端子工作；和耗尽型晶体管，具有耦合到类肖特基器件的负极端子的第一电流电极，耦合到类肖特基器件的正极端子的栅极，和作为肖特基器件的负极端子工作的第二电流电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580017337.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：检测诱骗受体3的双抗体夹心ELISA方法
- 下一篇：有氧淋浴喷头
- 同类专利
- 专利分类
