[发明专利]用于金属栅极集成的栅极堆叠及栅极堆叠蚀刻顺序有效
| 申请号： | 200580017509.6 | 申请日： | 2005-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1961429A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 马克·R·维索凯 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/471;H01L21/441;H01L21/4763;H01L21/467 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明在一实施例中提供一种为一半导体装置(205)制作一金属栅极堆叠(200)的方法。所述方法包括在一位于一半导体衬底(220)上的栅极介电层(215)上沉积一金属层(210)。所述方法进一步包括在所述金属层(210)上形成一多晶硅层(225)并在所述多晶硅层(225)上形成一保护层(230)。所述方法还包括在所述保护层(230)上施加一无机减反射涂层(235)。其他实施例包括一种金属栅极堆叠前驱体结构及一种制造一集成电路的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 栅极 集成 堆叠 蚀刻 顺序 | ||
【主权项】：
1、一种为一半导体装置制作一金属栅极堆叠的方法，其包括：在一位于一半导体衬底上的栅极介电层上沉积一金属层；在所述金属层上形成一多晶硅层；在所述多晶硅层上形成一保护层；及在所述保护层上施加一无机减反射涂层。
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