[发明专利]在低温下形成的用于MEMS封装的耐热气密性密封无效
| 申请号： | 200580018496.4 | 申请日： | 2005-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1964915A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | D·卢;约翰·赫克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;H01L23/10 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人： | 严慎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一些气密性密封的器件(诸如微机电系统(MEMS))可能对高处理温度敏感。但是，密封应该能够耐受例如在器件操作期间可能遇到的较高的温度。气密性密封可以通过无助焊剂焊接途径来实现，所述无助焊剂焊接途径包括包含诸如铟(In)或锡(Sn)的低熔点(LMP)组分和诸如金(Au)、银(Ag)或铜(Cu)的高熔点(HMP)组分的焊料组合。LMP/HMP的比率被选择为富含HMP组分，使得在结合和热退火之后，LMP组分基本上被耗尽，生成具有比最初的HMP/LMP处理温度高的熔点的金属间化合物(IMC)。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 形成 用于 mems 封装 耐热 气密性 密封 | ||
【主权项】：
1.一种具有耐热气密性密封的装置，包括：衬底；在所述衬底上的对环境敏感的器件；盖在所述器件之上的盖覆；以及在所述盖覆和所述衬底之间的气密性密封，所述气密性密封包括：高熔点(HMP)组分和利用一处理温度由所述HMP组分和低熔点(LMP)组分形成的金属间化合物(IMC)，所述IMC具有比所述处理温度高的熔化温度。
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