[发明专利]在绝缘体半导体器件上的半导体及其制造方法有效
| 申请号： | 200580019318.3 | 申请日： | 2005-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1969391A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | R·叙尔迪努;G·多恩波斯;Y·波诺马雷夫;J·罗 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种在绝缘体上的半导体的半导体器件，具有金属或硅化物源和漏接触区(38，40)，激活的源和漏区(30，32)和体区(34)。该结构可以是双栅极SOI结构或完全耗尽(FD)的SOI结构。通过使用衬垫(28)和用接触区代替了半导体层的整个厚度的工艺，得到了锐利的层间和低电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 半导体器件 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶体管，包括：限定绝缘体的第一平面化表面(18)的绝缘体衬底(2)；在第一平面化表面(18)上的源(38，62)和漏(40，64)接触区域，源和漏接触区(38、40、62、64)的总厚度是硅化物或金属，源和漏接触区(38，40，62，64)被横向隔开；在源和漏接触区之间的第一平面化表面(18)上的半导体区，该半导体区包括邻近于源接触区(38，62)的激活的源区(30，56)，邻近于漏接触区(40，64)的激活的漏区(32，58)，和在激活的源和漏区(30，32，56，58)之间的沟道区(34，54)；和在沟道区上的上绝缘栅极(8)。
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