[发明专利]稳定的和可重复的等离子体离子注入的方法有效
| 申请号： | 200580020902.0 | 申请日： | 2005-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1998062A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·R·沃尔特;方子伟;贾斯廷·托科;卡勒顿·F·埃利斯三世 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备联合公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/223;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于衬底的等离子体离子注入的方法包括提供等离子体离子注入系统，所述等离子体离子注入系统具有工艺室(10)、用于在所述工艺室中产生等离子体(40)的源、用于在所述工艺室中承托衬底(20)的台板(14)、与所述台板隔开的阳极(24)、和用于产生将离子从所述等离子体向着所述衬底加速的注入脉冲的脉冲源(30)。在一方面，改变注入工艺的参数以至少部分地补偿被注入的离子和所述衬底之间的相互作用的非期望效应。例如，在所述注入工艺期间，可以改变剂量率、离子能量或两者。在另一方面，预处理步骤包括：将离子从所述等离子体向所述阳极加速以引起源于所述阳极的二次电子的发射，和将所述二次电子从所述阳极向衬底加速以便预处理所述衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定 重复 等离子体 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底的等离子体离子注入的方法，包括：提供等离子体离子注入系统，所述等离子体离子注入系统包括：工艺室、用于在所述工艺室中产生等离子体的源、用于在所述工艺室中承托衬底的台板和用于产生将离子从所述等离子体向着所述衬底中加速的注入脉冲的脉冲源；根据具有一剂量率的注入工艺的所述衬底的等离子体离子注入；以及在所述注入工艺期间改变所述剂量率。
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