[发明专利]用于处理基板的外周部的方法及设备有效
| 申请号： | 200580023196.5 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101124663A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 野上光秀;长谷川平;功刀俊介 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/304;H01L21/306;C23F4/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于处理基板的外周的方法和装置，在用于从基板的外周部去除不需要的膜时能够避免对基板中心部分的损坏。作为吸热装置的冷却介质室(4)形成在台(10)内，且诸如水的冷却介质填充到其中。晶片(90)被支撑在台(10)的支撑表面(10a)上。晶片(90)的外周部通过加热器(20)被加热，且用于去除不需要的膜的反应性气体从反应性气体出口(30b)供到晶片的被加热部分。另一方面，晶片(90)的在所述外周部的内侧的部分内的热量通过吸热装置吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 外周部 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理基板的外周的方法，其中涂覆在基板的外周部上的不需要的物质通过使其与反应性气体接触而被去除，所述方法包括步骤：使所述基板与台的支撑表面接触，以便所述基板被支撑在所述支撑表面上；加热所述基板的外周部；将所述反应性气体供给到被加热的外周部；和通过设置在所述台上的吸热器对位于所述外周部里面的部分进行吸热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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