[发明专利]制造化学机械平面化(CMP)垫中的原位凹槽的方法以及新颖的CMP垫设计有效
| 申请号： | 200580024127.6 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101014446A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | M·德奥普拉;H·M·瓦伊迪亚;P·K·罗伊 | 申请（专利权）人： | 尼欧派德技术公司 |
| 主分类号： | B24D18/00 | 分类号： | B24D18/00;B29C33/40;B24D13/14;B29C33/56;B24B37/04;B29C41/02;B29C33/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供制造CMP垫中的原位凹槽的方法。一般地说，制造原位凹槽的方法包括以下步骤：构图硅树脂衬层(206)；将所述硅树脂衬层(206)设置在模具(200)中或模具(200)上；将所述CMP垫材料添加到所述硅树脂衬层(206)；以及使所述CMP垫固化。还描述了包括新颖凹槽设计的CMP垫。例如，在此描述的是包括同心圆凹槽和轴向弯曲凹槽、反向对数凹槽、重叠圆凹槽、利萨如凹槽、双螺旋凹槽以及多重重叠轴向弯曲凹槽的CMP垫。所述CMP垫可以由聚氨酯制成，并且在其中制造的凹槽可由选自硅树脂加衬、激光直写、水射流切割、3－D印刷(printing)、热压成形、真空成形、微接触印刷、热压印及其混合中的方法制造。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 化学 机械 平面化 cmp 中的 原位 凹槽 方法 以及 新颖 设计 | ||
【主权项】：
1.一种制造CMP垫中的原位凹槽的方法，包括以下步骤：构图硅树脂衬层；将所述硅树脂衬层设置在模具中或模具上；将CMP垫材料添加到所述硅树脂衬层；使所述CMP垫固化。
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