[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200580024422.1 | 申请日： | 2005-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1989621A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | G·A·M·胡尔克斯;P·阿加瓦尔;E·希岑;R·J·E·赫廷 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/737 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 康正德;魏军 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有衬底(11)和半导体主体(12)的半导体装置(10)，该半导体装置包括垂直双极晶体管，该双极晶体管具有分别为第一导电类型的发射极区(1)、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区(2)、以及第一导电类型的集电极区(3)，其中该集电极区(3)包括邻接于该基极区(2)的第一子区(3A)和邻接于该第一子区(3A)的第二子区(3B)，第一子区(3A)的掺杂浓度低于该第二子区(3B)的掺杂浓度，且该晶体管设有横向邻接于该第一子区(3A)的栅电极(5)，该第一子区(3A)通过该栅电极可以被耗尽。根据本发明，该集电极区(3)邻接于该半导体主体(12)的表面，而该发射极区(1)凹陷于该半导体主体(12)内，且该集电极区(3)形成了在该半导体主体(12)表面处形成的平台结构(6)的一部分。这种装置(10)具有非常有利的高频和高压性能，并且容易制造。在一个优选实施方案中，集电极(3)包括形成平台结构(6)的纳米线(30)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有衬底(11)和半导体主体(12)的半导体装置(10)，该半导体装置包括垂直双极晶体管，该双极晶体具有分别为第一导电类型的发射极区(1)、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区(2)、以及第一导电类型的集电极区(3)，其中该集电极区(3)包括邻接于该基极区(2)的第一子区(3A)和邻接于该第一子区(3A)的第二子区(3B)，第一子区(3A)的掺杂浓度低于该第二子区(3B)的掺杂浓度，且该晶体管被设有横向邻接于该第一子区(3A)的栅电极(5)，该第一子区(3A)通过该栅电极可以被耗尽，其特征在于，该集电极区(3)邻接于该半导体主体(12)的表面，而该发射极区(1)凹陷于该半导体主体(12)内，且该集电极区(3)形成了在该半导体主体(12)的表面处形成的平台结构(6)的一部分。
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