[发明专利]包括作为熔丝元件的二极管的熔丝存储单元无效
| 申请号： | 200580026092.X | 申请日： | 2005-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101432823A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·J·佩蒂 | 申请（专利权）人： | 桑迪斯克三维有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18;G11C11/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种由插入到导体之间的半导体结型二极管形成的存储单元。通过使存储单元呈现非常高的电阻来对所述单元编程，使得当施加读取电压时在导体之间不再流过电流。在该单元中，二极管表现为熔丝。半导体结型二极管包括硅，所述硅与硅化物相接触时结晶化。硅化物可以提供用于结晶化的模板，降低了硅的缺陷密度并且提高了其导电性。在形成硅化物的步骤期间，还原插入在硅和硅成形金属之间的电介质层(例如，氧化物、氮化物、或氮氧化物)是有利的。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 作为 元件 二极管 存储 单元 | ||
【主权项】：
1. 一种具有未编程和已编程的状态的非易失性熔丝存储单元，包括半导体结型二极管，其中，当单元从未编程的状态转变成已编程的状态时，半导体结型二极管担当熔丝。
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