[发明专利]用于不对称半导体器件性能增强的方法和设备有效
| 申请号： | 200580027261.1 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101002328A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 马里乌斯·K·奥尔沃夫斯基;万司·H·亚当斯;刘春丽;布赖恩·A·温斯特德 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/76;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 介绍一种在半导体器件中提供性能增强的方法和设备。在一个实施例中，第一电流区(64、76、23)、沟道区和第二电流区(75、33、66)彼此邻近。第二电流区(75、33、66)的合金的第一元素的含量大于第一电流区(64、76、23)中的第一元素的含量，其中第二电流区(75、33、66)的第一元素的含量大于沟道区中第一元素的含量，该合金进一步包括第二元素，第一元素具有第一化合价数，且第二元素具有第二化合价数。此外，第一化合价数和第二化合价数的和为八。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 不对称 半导体器件 性能 增强 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一电流区，其中第一电流区的至少一部分在半导体衬底内部；水平邻近第一电流区的至少一部分的沟道区；和水平邻近沟道区的第二电流区，其中：第二电流区的合金的第一元素的含量大于第一电流区中的第一元素的含量；第二电流区的第一元素的含量大于沟道区中的第一元素的含量；该合金进一步包括第二元素；第一元素具有第一化合价数；第二元素具有第二化合价数；和第一化合价数和第二化合价数的和为八。
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