[发明专利]图案化并排列半导体纳米粒子无效
申请号: | 200580027645.3 | 申请日: | 2005-06-20 |
公开(公告)号: | CN101061576A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 托米·W·凯利;蒂莫西·D·邓巴 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L21/368 | 分类号: | H01L21/368;H01L21/208 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 郭国清;樊卫民 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种制造包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件的方法,包括以下步骤:a)排列多个第一半导体纳米粒子;b)将排列的第一半导体纳米粒子沉积到第一给体片材上;和c)通过使用激光照射,将至少一部分排列的第一半导体纳米粒子转移到受体基材。通常,所述半导体纳米粒子是无机的半导体纳米粒子。排列步骤可以通过任何适当的方法实现,通常包括:1)通过可以织构的或微孔道的表面中或其上的毛细流动排列:2)通过可以自组装单层(SAM)上模板化而排列:3)通过可以织构聚合物表面上模板化而排列:或4)通过混入包括向列型液晶的组合物中随后剪切取向向列型液晶而排列。在一些实施方式中,所述方法另外包括以下步骤:d)排列第二多个第二纳米粒子;e)将排列的第二纳米粒子沉积到相同的给体片材或第二给体片材;和f)通过使用激光照射,将至少一部分排列的第二纳米粒子转移到所述相同的受体基材。所述第二纳米粒子可为导电粒子,绝缘粒子,或半导体纳米粒子,包括无机的半导体纳米粒子,和可以与第一半导体纳米粒子的组成相同或不同。另外,提供根据本发明的方法制造的器件。 | ||
搜索关键词: | 图案 排列 半导体 纳米 粒子 | ||
【主权项】:
1.一种制造包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件的方法,其中所述方法包括以下步骤:a)排列多个第一半导体纳米粒子;b)在第一给体片材上沉积所述排列的第一半导体纳米粒子;和c)通过使用激光照射,将至少一部分所述排列的第一半导体纳米粒子转移到受体基材。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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