[发明专利]图案化并排列半导体纳米粒子无效

专利信息
申请号: 200580027645.3 申请日: 2005-06-20
公开(公告)号: CN101061576A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 托米·W·凯利;蒂莫西·D·邓巴 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H01L21/368 分类号: H01L21/368;H01L21/208
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 郭国清;樊卫民
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种制造包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件的方法,包括以下步骤:a)排列多个第一半导体纳米粒子;b)将排列的第一半导体纳米粒子沉积到第一给体片材上;和c)通过使用激光照射,将至少一部分排列的第一半导体纳米粒子转移到受体基材。通常,所述半导体纳米粒子是无机的半导体纳米粒子。排列步骤可以通过任何适当的方法实现,通常包括:1)通过可以织构的或微孔道的表面中或其上的毛细流动排列:2)通过可以自组装单层(SAM)上模板化而排列:3)通过可以织构聚合物表面上模板化而排列:或4)通过混入包括向列型液晶的组合物中随后剪切取向向列型液晶而排列。在一些实施方式中,所述方法另外包括以下步骤:d)排列第二多个第二纳米粒子;e)将排列的第二纳米粒子沉积到相同的给体片材或第二给体片材;和f)通过使用激光照射,将至少一部分排列的第二纳米粒子转移到所述相同的受体基材。所述第二纳米粒子可为导电粒子,绝缘粒子,或半导体纳米粒子,包括无机的半导体纳米粒子,和可以与第一半导体纳米粒子的组成相同或不同。另外,提供根据本发明的方法制造的器件。
搜索关键词: 图案 排列 半导体 纳米 粒子
【主权项】:
1.一种制造包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件的方法,其中所述方法包括以下步骤:a)排列多个第一半导体纳米粒子;b)在第一给体片材上沉积所述排列的第一半导体纳米粒子;和c)通过使用激光照射,将至少一部分所述排列的第一半导体纳米粒子转移到受体基材。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于3M创新有限公司,未经3M创新有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580027645.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top