[发明专利]在等离子体处理系统中优化抗蚀能力的方法和装置无效
申请号: | 200580027666.5 | 申请日: | 2005-06-14 |
公开(公告)号: | CN101263092A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 山口叶子;乔治·斯托亚科维奇;艾伦·米勒 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C03C25/68 | 分类号: | C03C25/68;C23F1/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;尚志峰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了一种在包括等离子体处理室的等离子处理系统中优化基板材料抗蚀能力的方法。该方法包括:使预涂气体混合物流入等离子体室,其中,预涂气体混合物对蚀刻剂气体混合物具有亲和力;从预涂气体混合物中撞击出第一等离子体;以及引入包括基板材料的基板。该方法还包括:使蚀刻气体混合物流入等离子体处理室;从蚀刻气体混合物中撞击出第二等离子体;以及利用第二等离子体蚀刻基板。其中,第一等离子体在等离子体处理室中的一组暴露表面上形成预涂残留物,并且保持基板材料的抗蚀能力。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 系统 优化 能力 方法 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种在包括等离子体处理室的等离子体处理系统中优化基板材料抗蚀能力的方法,包括以下步骤:使预涂气体混合物流入所述等离子体处理室,其中,所述预涂气体混合物对蚀刻剂气流混合物具有亲和力;从所述预涂气体混合物中撞击出第一等离子体;引入包括所述基板材料的基板;使所述蚀刻剂气体混合物流入所述等离子体处理室;从所述蚀刻剂气体混合物中撞击出第二等离子体;以及利用所述第二等离子体蚀刻所述基板,其中,所述第一等离子体在所述等离子体处理室中的一组暴露表面上形成预涂残留物,并且基本上保持所述基板材料的所述抗蚀能力。
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