[发明专利]纯化碳化硅结构的方法有效
| 申请号： | 200580032316.8 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101027267A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | L·W·夏夫;B·L·吉尔摩 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/91 | 分类号： | C04B41/91;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了一种纯化碳化硅结构、包括碳化硅涂覆的碳化硅结构的方法。所述方法可将碳化硅结构中铁污染物的数量降低100到1000倍。纯化后，碳化硅结构适用于高温硅晶片处理。 | ||
| 搜索关键词： | 纯化 碳化硅 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纯化适用于高温硅晶片处理中的碳化硅结构的方法，该方法包括：a.使碳化硅结构处于水分中；b.从碳化硅结构化学剥离至少约1微米的碳化硅；c.将碳化硅结构在至少约1200℃的温度下暴露在氢气中约1小时至约100小时；d.在约1150℃至约1250℃的温度下在碳化硅结构表面上生长厚度为约2纳米到约400纳米的氧化硅层；e.使用含水腐蚀剂从碳化硅结构化学剥离氧化硅层；以及f.重复步骤c、d和e约1到约4次。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580032316.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：利用太阳能蒸汽杀灭设施园艺中土传病虫的装置
- 下一篇：变扭器测试台
