[发明专利]高深宽比碳微机电系统的表面和组成增强无效
| 申请号： | 200580033124.9 | 申请日： | 2005-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101031677A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | M·马杜;C·王;L·塔赫拉巴迪;B·帕克;R·昭克 | 申请（专利权）人： | 加州大学评议会 |
| 主分类号： | D01F9/127 | 分类号： | D01F9/127;C23C16/26;D01F9/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周铁;林森 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了含具有由高深宽比带来的大表面积和纳米级表面增强的碳结构的C－MEMS构造，以及用于制造所述结构的改进的系统和方法。具体地，高深宽比碳结构通过热解图案化的碳前体聚合物微制造。热解聚合物优选地包括一个在惰性和合成气体气氛和追随聚合物的玻璃化转变温度(Tg)的高温下的多步工艺。通过纳米纹理化碳微结构表面和通过将碳微结构和催化剂暴露于碳氢化物气体向碳微结构中结合纳米级结构增大碳微结构的表面积，其中所述纳米纹理化通过暴露于氧等离子体实现。在一个优选实施方案中，碳微结构是含碳气体源。 | ||
| 搜索关键词： | 高深 微机 系统 表面 组成 增强 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成包括具有大表面积的碳微结构的C-MEMS装置的工艺，包括下列步骤：形成包含许多碳微结构的C-MEMS装置；和通过向碳微结构表面施加纳米级改变而增大碳微结构的表面积。
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