[发明专利]电化学器件无效
申请号: | 200580033751.2 | 申请日: | 2005-09-02 |
公开(公告)号: | CN101065328A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | P·A·克里斯滕森;N·G·赖特;T·A·埃杰顿 | 申请(专利权)人: | GEN-X动力公司 |
主分类号: | C02F1/467 | 分类号: | C02F1/467 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 林柏楠;刘金辉 |
地址: | 库克群岛(新*** | 国省代码: | 库克群岛;CK |
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摘要: | 电化学器件,其包括:(a)半导体层,其中该半导体是硅或碳化硅,且其中该层具有1至1000微米的厚度;(b)在所述半导体层上的TiO2层,其中该层可以包括碱土金属氧化物MO,其最多可达使得该层是MTiO3的量,且其中该层具有5纳米至1微米的厚度;(c)在TiO2层上的惰性金属栅,该栅排列为能够施加跨越TiO2层的电场;和(d)在所述半导体层上的欧姆接触。 | ||
搜索关键词: | 电化学 器件 | ||
【主权项】:
1.电化学器件,其包括:(a)半导体层,其中该半导体是硅或碳化硅,且其中该层具有1至1000微米的厚度;(b)在所述半导体层上的TiO2层,其中该层可以包括碱土金属氧化物MO,其最多可达使得该层是MTiO3的量,且其中该层具有5纳米至1微米的厚度;(c)在TiO2层上的惰性金属栅,该栅排列为能够施加跨越TiO2层的电场;和(d)在所述半导体层上的欧姆接触。
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