[发明专利]以等离子体增强化学气相沉积制造具低应力的低K值介电质的低温工艺无效
| 申请号： | 200580034047.9 | 申请日： | 2005-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101065834A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 任康树;黄李丽华;弗朗西马尔·施米特;夏立群 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了应用各种技术形成具有低机械应力的低K值介电膜。在一实施例中，在低温(300℃或更低)下以等离子体增强化学气相沉积工艺形成一含碳的氧化硅膜。在另一实施例中，所沉积的含碳氧化硅膜中因并入可于后续工艺中释出的致孔剂(porogen)，因而降低薄膜的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 化学 沉积 制造 应力 值介电质 低温 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种沉积碳掺杂氧化硅薄膜的方法，其包含：使一含硅前驱物与一含碳前驱物在等离子体存在下混合，以沉积成一碳掺杂氧化硅层，其应力约20MPa或更低。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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