[发明专利]含有芳香族磺酸酯化合物和光酸发生剂的形成下层防反射膜的组合物有效
| 申请号： | 200580034611.7 | 申请日： | 2005-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101040221A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 畑中真;榎本智之;木村茂雄 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08G59/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种形成下层防反射膜的组合物，其在半导体器件制造的光刻工序中使用、并且用于形成可通过光致抗蚀剂用碱性显影液进行显影的下层防反射膜，还提供一种使用该形成下层防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图形的形成方法。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成下层防反射膜的组合物，其含有：聚酰胺酸、具有2个以上的环氧基的交联性化合物、芳香族磺酸酯化合物、光酸发生剂及溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 芳香族 酯化 发生 形成 下层 反射 组合 | ||
【主权项】：
1.一种形成下层防反射膜的组合物，是用于形成通过碱性显影液来与光致抗蚀剂一起显影的下层防反射膜的形成下层防反射膜的组合物，其特征在于，含有：具有式(1)和式(2)所示结构的聚酰胺酸、具有2个以上的环氧基的交联性化合物、芳香族磺酸酯化合物、光酸发生剂和溶剂，![]()
式中，A1和A2表示4价的有机基团，B1表示3价的有机基团，B2表示2价的有机基团。
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