[发明专利]由铝硅酸盐前体形成的低k值介电层有效
| 申请号： | 200580035778.5 | 申请日： | 2005-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101053070A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | M·古纳 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;韦欣华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于用铝硅酸盐前体形成高机械强度、低k值、层间介电材料使得铝容易地被结合到材料的硅基质中的方法，和一种包含一个或多个这样形成的高强度、低k值层间介电层的集成电路设备。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸盐 体形 值介电层 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：将前体沉积到衬底上；前体中的至少一种包括甲硅烷氧基铝基团，该甲硅烷氧基铝基团包括由氧原子键合在一起的硅原子和铝原子，并且该硅原子和该铝原子还键合至多个官能团。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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