[发明专利]等离子体溅射成膜方法和成膜装置无效
| 申请号： | 200580035907.0 | 申请日： | 2005-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101044259A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 铃木健二;池田太郎;波多野达夫;水泽宁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/3205;C23C14/14;H01L23/52;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用等离子体使金属靶(56)离子化，产生金属离子，利用偏置电力将金属离子引入到在处理容器内的载置台(20)上载置的被处理体(S)，使金属膜(74)沉积在形成有凹部(2)的被处理体上以填充凹部的方法。设定偏置电力，使得在被处理体表面，因金属离子的引入而产生的金属沉积速率和等离子体溅射蚀刻的蚀刻速率大致均衡。由此，能够向被处理体的凹部填充金属，而不会产生空隙等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 溅射 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，其特征在于，包括：将具有表面和在该表面开口的凹部的被处理体载置在配置于真空处理容器内的载置台上的工序；在所述真空处理容器内产生等离子体，并利用所述等离子体溅射在所述真空处理容器内配置的金属靶，产生金属离子的工序；和向所述载置台施加偏置电力并将所述金属离子引入到所述凹部内，使其沉积在所述凹部，由此向所述凹部填充金属的工序，所述偏置电力，其大小使得在所述被处理体的所述表面，因所述金属离子的引入而产生的金属沉积的沉积速率和由所述等离子体产生的溅射蚀刻的蚀刻速率大致均衡。
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