[发明专利]栅极绝缘膜的形成方法、半导体装置和计算机记录介质无效
| 申请号： | 200580036152.6 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101044626A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 西田辰夫;石塚修一;藤野丰;中西敏雄;佐藤吉宏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/31;H01L21/8242;H01L27/08;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本发明中，在形成DRAM中的栅极绝缘膜的情况下，对成为栅极绝缘膜的基底的氧化膜实施等离子体氮化处理。通过使用着形成有多个通孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。由等离子体氮化处理所形成的栅极绝缘膜中的氮浓度为5～20％原子浓度。随后即使不进行退火处理也可以在DRAM中有效地防止硼穿透现象，并且抑制成为器件驱动能力降低的原因的膜中的阱。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 绝缘 形成 方法 半导体 装置 计算机 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种栅极绝缘膜的形成方法，其特征在于：在将氩气与氮气等离子体化而对构成所述绝缘膜的氧化膜进行等离子体氮化处理时，通过使用平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理，进一步通过所述等离子体氮化处理，将氮导入到氧化膜中以使栅极绝缘膜中的氮浓度为5～20％原子浓度。
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