[发明专利]与半导体元件的上面电极电连接的方法和结构有效
| 申请号： | 200580036418.7 | 申请日： | 2005-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101048883A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 布赖恩·R.·布彻;格雷戈里·W.·格里克威驰;科利·W.·凯勒;肯尼斯·H.·史密斯;理查德·G.·威廉姆斯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种与半导体元件的上面电极电连接的结构以及制造这种结构的方法。与上面电极电连接的结构(10)包括具有横向尺寸的第一电极(50)、在第一电极上面的半导体元件(14)、以及在半导体元件上面的第二电极(30)。第二电极(30)具有比第一电极(50)的横向尺寸小的横向尺寸。导电硬掩模(42)覆盖在第二电极上面并且与第二电极电连接。导电硬掩模(42)具有与第一电极的横向尺寸基本相等的横向尺寸。导电接触元件(56)与导电硬掩模电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 上面 电极 连接 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种与半导体元件上面的电极电连接的结构，该结构包括：具有第一横向尺寸的第一电极；在所述第一电极上面的半导体元件；在所述半导体元件上面的第二电极，所述第二电极具有比所述第一电极的所述第一横向尺寸小的第二横向尺寸；在所述第二电极上面的并与所述第二电极电连接的导电硬掩模，所述导电硬掩模具有与所述第一电极的所述第一横向尺寸基本相等的第三横向尺寸；以及与所述导电硬掩模电连接的导电接触元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580036418.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：胶片颗粒模拟方法
- 下一篇：图像处理方法、图像处理装置及图像处理程序
