[发明专利]成膜方法、半导体装置的制造方法、半导体装置、程序和存储介质无效
| 申请号： | 200580037146.2 | 申请日： | 2005-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN101065836A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 小岛康彦;吉井直树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L23/52;C23C16/18;C23C16/50;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是使半导体装置的Cu扩散防止膜与Cu配线之间的密接性良好，并提高半导体装置的可靠性。为此，在本发明中的成膜方法是在被处理基板上形成Cu膜的成膜方法，其特征在于，包括：在形成于被处理基板上的Cu扩散防止膜上形成密接膜的第一工序；和在所述密接膜上形成Cu膜的第二工序，并且所述密接膜含有Pd。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 半导体 装置 制造 程序 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，用于在被处理基板上形成Cu膜，其特征在于，该方法包括：在形成于所述被处理基板上的Cu扩散防止膜上形成密接膜的第一工序；和在所述密接膜上形成所述Cu膜的第二工序，其中，所述密接膜含有Pd。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
