[发明专利]钼溅射靶有效
| 申请号： | 200580037265.8 | 申请日： | 2005-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101057000A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | B·勒蒙;J·希尔特;T·威维林;J·G·戴利三世;D·米恩德林;G·罗扎克;J·奥格拉迪;P·R·杰普森;P·库马;S·A·米勒;吴荣祯;D·G·施沃茨 | 申请（专利权）人： | H.C.施塔克公司 |
| 主分类号： | C22C27/04 | 分类号： | C22C27/04;B22F3/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;李连涛 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管－液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种钼溅射靶，具有细的均匀晶粒尺寸以及基本没有织构条带和从靶中心到边缘的全厚度梯度的均匀织构，并具有高的纯度，和为了提高性能而任选地被微合金化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于H.C.施塔克公司，未经H.C.施塔克公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580037265.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：平开式感应垃圾桶
- 下一篇：人工假肢手的实时控制方法
