[发明专利]用于增加光阻移除率之装置及等离子体灰化方法

摘要

一等离子体灰化方法，其用于自一包含碳、氢、或是碳氢结合物之基板移除光阻剂材料和后蚀刻残留物，其中该基板包含一低k介电层，该方法包括：以一实质上无氧无氮之气体混合物形成一等离子体；将这些离子体导引入一处理室，其中该处理室包含一和等离子体流体连通之阻隔平板组件；使这些离子体流经该阻隔平板组件，并自基板移除光阻剂材料、后蚀刻残留物、和挥发性副产物；通过将一氧气等离子体导入该处理室，以周期性地清洁该处理室；使一冷却气体流过该阻隔平板组件以冷却该阻隔平板组件。一设置成用以接收下游式等离子体之处理室，该处理室包含一上方阻隔平板，该上方阻隔平板包含：至少一和热传导支座，其与该处理室之一壁热连通；以及一和该上方阻隔平板间隔之下方阻隔平板。

主权项

1.一种等离子体灰化方法，用于自一包含碳、氢、或是碳氢结合物之基板移除光阻剂材料和后蚀刻残留物，该基板系含有一低k介电材料，该方法包括：以一实质上无氧无氮之气体混合物形成一等离子体；使这些离子体流经一阻隔平板组件和于基板之上，并自该基板移除光阻剂材料、后蚀刻残留物、以及挥发性副产物；使一冷却气体以等离子体流相反之方向流经一阻隔平板组件，该冷却气体流入之量有效地降低上方阻隔平板之温度。