[发明专利]腐蚀抑制剂、抑制腐蚀的传热流体和其用途有效
| 申请号： | 200580038229.3 | 申请日： | 2005-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101056958A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | P·M·沃伊切斯耶斯;A·V·格尔申;F·J·马林霍;T·G·卡拉赫尔;B·杨 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | C09K5/10 | 分类号： | C09K5/10;C09K5/20;C23F11/14;H01M8/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周铁;范赤 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于传热流体的腐蚀抑制剂，所述传热流体的电导率小于200μS/cm，该腐蚀抑制剂包含唑化合物，和基于硅氧烷的表面活性剂、胶态二氧化硅或其混合物中的至少一种。还公开了一种抑制腐蚀的传热流体，所述传热流体的电导率不大于或等于200μS/cm并且包含所公开的腐蚀抑制剂。还提供了一种包括替代能源和与该替代能源热连通的传热系统的组件，该传热系统包括所公开的抑制腐蚀的传热流体。此外，还公开了一种制备抑制腐蚀的传热流体的方法，其中将所公开的腐蚀抑制剂添加到电导率小于200μS/cm的传热流体中。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 抑制剂 抑制 传热 流体 用途 | ||
【主权项】：
1.一种用于传热系统的抑制腐蚀的传热流体，其包含腐蚀抑制剂，该腐蚀抑制剂包含唑化合物，和基于硅氧烷的表面活性剂、胶态二氧化硅或其混合物中的至少一种，该抑制腐蚀的传热流体的电导率不大于200μS/cm或等于200μS/cm。
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