[发明专利]羰基官能化的噻吩化合物和相关的器件结构无效
| 申请号： | 200580038781.2 | 申请日： | 2005-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101056873A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 图斌·J·马克斯;安东尼奥·法克彻蒂 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | C07D409/00 | 分类号： | C07D409/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种经羰基官能化的低聚/聚噻吩化合物，相关的半导体元件和相关的器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 羰基 官能 噻吩 化合物 相关 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种下式的半导体化合物![]()
其中，R1、R2和R3独立地选自H、烷基、经氟取代的烷基、杂环、芳基和经氟取代的芳基，所述烷基和经氟取代的烷基为约C2-约C10；每个所述x独立地是约0-约8的整数；z是选自0和大于0的整数的整数，其中，x、y和z中的至少一个选自2和大于2的整数。
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