[发明专利]在其它元件的处理期间存储单元的有源层的保护无效

专利信息
申请号: 200580038928.8 申请日: 2005-11-10
公开(公告)号: CN101057345A 公开(公告)日: 2007-10-17
发明(设计)人: S·阿万兹诺;I·索科利克;S·K·潘格勒;N·H·特里普沙斯;J·A·希尔兹 申请(专利权)人: 斯班逊有限公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种通过提供导电层(102)、提供介电层(100)在导电层(102)上、提供第一和第二开孔(104,106)通过介电层(100)、分别在第一和第二开孔(104,106)中提供第一和第二导电体(108,110)且与导电层(102)接触、提供存储结构(126)在第一导电体(108)上、提供保护元件(134)在存储结构(126)上、以及在第二导电体(110)上进行处理来制造电子结构的方法。
搜索关键词: 其它 元件 处理 期间 存储 单元 有源 保护
【主权项】:
1.一种制造电子结构的方法,包括:提供基底结构(124);在该基底结构(124)的一部分上设置存储结构(126);在该存储结构(126)上设置保护元件(134);以及在不在该保护元件(134)下的该基底结构(124)的区域对该基底结构(124)施行处理。
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