[发明专利]移除残余物的后蚀刻处理无效
| 申请号： | 200580038937.7 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101057314A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 江康烈;柴曼平;马绍铭;叶雁;彼特·赫西 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用以由基板上的导电材料层移除残余物的方法。在一实施例中，此方法包含导入制程气体至真空反应室中，该真空反应室具有因暴露在含氟环境下而有残余物生成其上的基板表面。制程气体包含含氢气体。或者，制程气体另包含含氧气体或含氮气体。制程气体的等离子体之后是在真空反应室中维持一段预定时间以移除表面上的残余物。在等离子体步骤中，基板温度维持在大约10℃至大约90℃之间。 | ||
| 搜索关键词： | 残余物 蚀刻 处理 | ||
【主权项】：
1.一种由一基板的一导电材料层上移除残余物的方法，至少包含：导入一制程气体至具有一基板的一真空反应室中，其中该基板因在一含氟环境中处理而有残余物形成在一暴露表面上，以及该制程气体包含一含氢气体；形成与维持该真空反应室中的该制程气体的一等离子体一预定时段以由该表面上移除该残余物；以及在该等离子体形成与维持步骤中，维持该基板温度在大约10℃至大约90℃之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580038937.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：抓管装置
- 下一篇：一种滴眼露及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
