[发明专利]低温SiN沉积方法无效
| 申请号： | 200580039394.0 | 申请日： | 2005-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101061255A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 阿吉特·P·帕仁吉佩;康展·张;布伦登·麦克杜格尔;韦恩·维雷布;米歇尔·巴顿;艾伦·戈德曼;萨默纳斯·内奇 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/44;H01L21/00;H01L21/318;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;陈红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了通过将含硅前驱物导入处理区中，排出处理区中包括含硅前驱物的气体，同时均匀逐渐降低处理区的压力，将含氮前驱物导入处理区中，并排出处理区中包括含氮前驱物的气体，同时均匀逐渐降低处理区的压力，在处理区内的衬底上沉积硅氮化物层。在排气步骤期间，压力降低相对于时间的斜率基本为常数。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 sin 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在处理区内的衬底上沉积包含硅和氮的层的方法，包括：将含硅前驱物导入到所述处理区中；排出所述处理区中包括所述含硅前驱物的气体，同时均匀地逐渐降低所述处理区的压力；将含氮前驱物导入到所述处理区中；以及排出所述处理区中包括所述含氮前驱物的气体，同时均匀逐渐降低所述处理区的压力。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
