[发明专利]测量自偏压来监控等离子体处理系统中处理的方法和装置有效
| 申请号： | 200580039762.1 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101088147A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 蒂莫西·J·吉尼;拉奥·安纳普拉加达;苏布哈什·德希穆克;程家成 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/306;H01L21/00;G01L21/30;B44C1/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于在具有处理室的等离子体系统中原位监控处理的方法。该方法包括在等离子体处理室中定位衬底(802)。该方法还包括在将衬底设置在等离子体处理室内时在等离子体处理室中撞击等离子体(804)。该方法进一步包括获得撞击等离子体之后存在的测量自偏压，该测量自偏压具有当等离子体不存在时的第一值以及当等离子体存在时的不同于第一值的至少一个第二值(806)。该方法还包括如果测量自偏压值在预定自偏压值包络之外(808)，则使测量自偏压值与处理的属性相关(810、812)。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 偏压 监控 等离子体 处理 系统 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于在具有等离子体处理室的等离子体处理系统中原位监控处理的方法，包括：在所述等离子体处理室中定位衬底；在将所述衬底设置在所述等离子体处理室中的同时，在所述等离子体处理室中撞击等离子体；获得在撞击所述等离子体之后存在的测量自偏压，所述测量自偏压值具有当所述等离子体不存在时的第一值以及当所述等离子体存在时的不同于所述第一值的至少一个第二值；如果所述测量自偏压值在预定自偏压值包络之外，则使所述测量自偏压值与所述处理的属性相关。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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