[发明专利]适用于纳米线薄膜的接触掺杂和退火系统以及工艺无效
| 申请号： | 200580039774.4 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101263078A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | Y·潘;D·P·斯顿伯 | 申请（专利权）人： | 奈米系统股份有限公司 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的各实施例用于改进的接触掺杂和退火系统以及工艺。在各实施例中，等离子体离子浸没式注入(PIII)可用于对基于纳米线和其它纳米元件的薄膜器件进行掺杂。根据本发明的其它实施例，可使用脉冲激光退火(所用激光能流相对较低，低于100mJ/cm2，例如小于约50mJ/cm2，例如，介于2－18mJ/cm2之间)对基板(比如低温柔性基板，例如塑料基板)上的基于纳米线和其它纳米元件的器件进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 纳米 薄膜 接触 掺杂 退火 系统 以及 工艺 | ||
【主权项】：
1. 一种使样品上的至少一根纳米线退火的方法，该方法包括：用激光通量小于约100mJ/cm2的激光器，来照射所述样品上的至少一根纳米线的多个部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奈米系统股份有限公司，未经奈米系统股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580039774.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
