[发明专利]氮化物半导体LED及其制造方法有效
| 申请号： | 200580039804.1 | 申请日： | 2005-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN101208809A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李昔宪 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明的一种氮化物半导体发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的In－掺杂的GaN层；形成在所述In－掺杂的GaN层上的第一电极层；形成在所述第一电极层上的InxGa1－xN层；形成在所述InxGa1－xN层上的有源层；形成在所述有源层上的第一P－GaN层；形成在所述第一P－GaN层上的第二电极层；部分突出在所述第二电极层上的第二P－GaN层；和形成在所述第二P－GaN层上的第三电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 led 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光二极管，包含：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的In-掺杂的GaN层；形成在所述In-掺杂的GaN层上的第一电极层；形成在所述第一电极层上的InxGa1-xN层；形成在所述InxGa1-xN层上的有源层；形成在所述有源层上的第一P-GaN层；形成在所述第一P-GaN层上的第二电极层；部分突出在所述第二电极层上的第二P-GaN层；和形成在所述第二P-GaN层上的第三电极层。
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