[发明专利]用于绝缘体上硅（SOI）技术的电可编程熔丝有效
| 申请号： | 200580040015.X | 申请日： | 2005-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101061584A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | C·科塔达拉曼;E·马切耶夫斯基 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种熔丝结构及其形成方法，其中在优选为绝缘体上硅晶片的绝缘体(53)上用晶体半导体主体(52)形成所述熔丝的导电主体(50)，并用填充介质(54)将其包围。填充介质(54)优选为最小化晶体主体(52)上的应力的材料，例如氧化物。晶体半导体主体(52)可以被掺杂。导电主体(50)也可以包括晶体半导体主体(52)顶表面上的例如硅化物层的导电层(51)。此熔丝结构可以成功地在很宽的编程电压和时间范围上编程。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘体 soi 技术 可编程 | ||
【主权项】：
1.一种电可编程熔丝，包括：半导体衬底(10、101)；绝缘层(53、153)，在所述半导体衬底(10、101)上；以及晶体半导体主体(52、152)，位于所述绝缘层(53)上，以使所述晶体半导体主体(52、152)与所述半导体衬底(10、101)电和热隔离，其中所述晶体主体(52、152)包括熔丝连接区域(47)，所述熔丝连接区域(47)在其第一端部处电连接到第一接触区域(42、142)而在其相反端部处电连接到第二接触区域(42、143)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580040015.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
