[发明专利]在多层存储设备编程过程中调节编程电压值的方法和系统无效
申请号: | 200580040251.1 | 申请日: | 2005-11-23 |
公开(公告)号: | CN101065808A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 马西米利亚诺·弗罗里奥;西蒙妮·巴托利;大卫·曼弗雷;安德里亚·萨可 | 申请(专利权)人: | 爱特梅尔股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04 |
代理公司: | 上海恩田旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁国芳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在多层存储设备编程过程中调节编程电压值包括利用在输出泵调节电路中的编程路径复制。进一步,利用所述输出泵调节电路为存储单元编程提供调节的编程电压,所述调节的编程电压用来校准编程路径压降和补偿温度变化。 | ||
搜索关键词: | 多层 存储 设备 编程 过程 调节 电压 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种在多层存储设备编程过程中调节编程电压值的方法,所述方法包括:利用输出泵调节电路,该输出泵调节电路具有编程路径的复制,为存储单元编程提供调节的编程电压,所述调节的编程电压校准编程路径压降,并不受温度变化的影响。
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