[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 200580041795.X | 申请日： | 2005-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101073159A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李昔宪 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体发光器件，包括：具有AlGaN/n－GaN或AlGaN/GaN/n－GaN的超晶格结构的第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层上形成的用以发光的有源层；在有源层上形成的第二氮化物半导体层；和在第二氮化物半导体层上形成的第三氮化物半导体层。根据本发明，有源层的结晶度得到提高，并且光功率和可靠性也得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化物半导体发光器件，包括：具有AlGaN/n-GaN或AlGaN/GaN/n-GaN的超晶格结构的第一氮化物半导体层；在所述第一氮化物半导体层上形成用于发光的有源层；在所述有源层上形成的第二氮化物半导体层；和在所述第二氮化物半导体层上形成的第三氮化物半导体层。
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