[发明专利]非易失性存储器擦除作业中的字线补偿有效
| 申请号： | 200580041995.5 | 申请日： | 2005-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101095198A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 万钧;杰弗里·W·路特斯;庞产绥 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/04;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在擦除作业期间将补偿电压施加至非易失性存储器系统以均衡存储单元的擦除行为。补偿电压可补偿从其他存储单元及/或选择栅电容性耦合至NAND串的存储单元的电压。可将补偿电压施加至一个或一个以上存储单元以大致正规化存储单元的擦除行为。可将补偿电压施加至NAND串的端存储单元以使其擦除行为与所述NAND串的内部存储单元均衡。也可将补偿电压施加至内部存储单元以使其擦除行为与端存储单元均衡。另外，可将补偿电压施加至NAND串的一个或一个以上选择栅以补偿从所述选择栅耦合至一个或一个以上存储单元的电压。可使用各种补偿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 擦除 作业 中的 补偿 | ||
【主权项】：
1、一种擦除非易失性存储器的方法，其包括：将至少一个补偿电压施加至非易失性存储元件串的一部分以至少部分地补偿从所述串的至少一个晶体管耦合至所述串的一个或一个以上非易失性存储元件的电压；及从所述串的非易失性存储元件的至少一子集的浮栅转移电荷，同时施加所述至少一个补偿电压以便擦除所述非易失性存储元件串。
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