[发明专利]衬底保持装置、曝光装置以及器件制造方法有效
| 申请号： | 200580042429.6 | 申请日： | 2005-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101076877A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 涩田慎 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以将浸入了衬底的背面侧的液体迅速地回收的衬底保持装置。衬底保持装置(PH)具备：基材(PHB)；形成于基材(PHB)上，支承衬底(P)的背面(Pb)的第一支承部(46)；形成于基材(PHB)上，与衬底(P)的背面(Pb)相对，包围第一支承部(46)而设置的第一周壁部(42)；和设于第一周壁部(42)的外侧的第一回收口(51)；利用沿着第一周壁部(42)的气流，将第一周壁部(42)的外侧的液体(LQ)移动至第一回收口(51)而回收。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 保持 装置 曝光 以及 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底保持装置，保持被提供液体的处理衬底，具备：基材；第一支承部，形成于所述基材上，支承所述处理衬底的背面；第一周壁部，形成于所述基材上，与所述处理衬底的背面相对，且设置成包围所述第一支承部；以及第一回收口，设于所述第一周壁部的外侧；利用沿着所述第一周壁部的气流，将所述第一周壁部的外侧的液体移动至所述第一回收口而回收。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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