[发明专利]薄膜沉积设备及方法有效
| 申请号： | 200580042515.7 | 申请日： | 2005-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101076878A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 白镕求;李升勋 | 申请（专利权）人： | 富祥艾德股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜沉积设备，其具有用以在靠立于基座上的复数个基板上形成薄膜的反应室。该设备包括：一气体供应装置，用以自外部供应复数种气体至该反应室内，该等气体包含反应气体；一气体分配装置，其用以分配及喷雾自该气体供应装置所供应的气体，因而符合工艺目的；一气体留置装置，其具有复数个反应槽(reaction cells)，用以分隔调节及留置自该气体分配装置所分配的个别气体；一旋转驱动装置，用以旋转该气体留置装置，使得留置在个别反应槽内的气体依序暴露至该基板；及一气体排放装置，用以将该气体留置装置所留置的气体泵出至该反应室的外部。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜沉积设备，其具有用以在靠立于基座上的复数个基板上形成薄膜的反应室；该设备包括：一气体供应装置，用以自外部供应复数种气体至该反应室内，该等气体包含反应气体；一气体分配装置，其用以分配及喷雾自该气体供应装置所供应的气体，因而符合工艺目的；一气体留置装置，其具有复数个反应槽，用以分隔调节及留置自该气体分配装置所分配的个别气体；一旋转驱动装置，用以旋转该气体留置装置，使得留置在个别反应槽内的气体依序暴露至该基板；及一气体排放装置，用以将该气体留置装置所留置的气体泵出至该反应室外部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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