[发明专利]双向场效应晶体管和矩阵转换器无效
| 申请号： | 200580042524.6 | 申请日： | 2005-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101076882A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 藤川一洋 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L29/808 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种双向场效应晶体管和使用该晶体管的矩阵转换器，其中可以借助单个器件控制双向流动的电流。该双向场效应晶体管包括：半导体衬底(1)；栅极区域，其设置在半导体衬底(1)上，具有平行于衬底(1)的主表面的沟道和用于控制沟道导电性的栅电极；第一区域，其设置在沟道的第一侧上；和第二区域，其设置在沟道的第二侧上；其中可以通过施加到栅电极(13a)的栅电压，来控制从第一区域的第一电极(11a)经过该沟道流到第二区域的第二电极(12a)的正向电流和从第二电极(12a)经过该沟道流到第一电极(11a)的反向电流。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 场效应 晶体管 矩阵 转换器 | ||
【主权项】：
1.一种双向场效应晶体管，包括：半导体衬底；栅极区域，其形成在该半导体衬底上，该区域包括平行于衬底主表面的沟道，和用于控制该沟道导电性的栅电极；第一区域，其提供在该沟道的第一侧上；和第二区域，其提供在该沟道的第二侧上；其中通过施加到栅电极的栅电压来控制从第一区域经过沟道流到第二区域的第一电流和从第二区域经过沟道流到第一区域的第二电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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