[发明专利]具有后模制镀镍/钯/金的引线的半导体装置无效
| 申请号： | 200580042625.3 | 申请日： | 2005-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101405862A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·C·阿博特;埃德加·R·祖尼加－奥尔蒂斯 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有引线框的半导体装置，所述引线框由基底金属(110，例如，铜)、芯片安装垫(103)和多个引线区段(104)组成。所述区段中的每一者具有接近所述安装垫的第一末端(104a)和远离所述安装垫的第二末端(104b)。所述装置进一步具有附着于所述安装垫的半导体芯片(103)和位于所述芯片与所述第一区段末端之间的电互连(107)。封装材料(120)覆盖所述芯片、接合线和所述第一区段末端，然而使所述第二区段末端保持暴露。所述第二区段末端的至少若干部分的所述基底金属由可软焊金属层(130，例如，镍)和贵金属最外层(140，例如，钯与金的堆叠)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 后模制镀镍 引线 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包含：半导体芯片，其具有多个接合垫；引线框，其包含基底金属且具有多个引线区段，所述区段中的每一者具有接近所述芯片的第一末端和远离所述芯片的第二末端；电互连，其分别位于所述芯片接合垫与所述第一区段末端之间；封装材料，其覆盖所述芯片、电互连和第一区段末端，但使所述第二区段末端仍保持暴露；和所述第二区段末端的至少若干部分，其所述基底金属由可软焊金属层和贵金属最外层的堆叠所覆盖。
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