[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580042901.6 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101080815A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 古川忍;今林良太 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;H01L27/28;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈季壮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 非挥发性存储器元件的问题在于外加电压高。这是因为载流子需要通过绝缘膜借助隧道效应注入到浮动栅内。另外，存在因进行这种载流子注入劣化绝缘膜的担心。本发明的目的是提供其中外加电压降低并防止绝缘膜劣化的存储器。一个特征是使用其中混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物的层作为充当存储器的浮动栅的材料。具体实例是具有晶体管结构的元件，在所述晶体管结构内，混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物且夹在绝缘层之间的层用作浮动栅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它包括：栅电极；在栅电极上形成的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成的层；在该层上形成的第二绝缘层；和在第二绝缘层上形成的半导体层；其中当施加电压到栅电极上时，在该层内出现电荷分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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