[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200580042933.6 | 申请日: | 2005-11-21 |
公开(公告)号: | CN101111940A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 加藤清 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种可以在制造后写入数据并能防止因数据重写引起的伪造、而且结构简单、材料便宜、制造成本低廉的半导体器件。本发明还提供一种具有上述功能的、其内部结构不会阻碍无线通信的半导体器件。本发明的半导体器件包括:有机存储器,具有包括多个存储单元的存储单元阵列;控制电路,用来控制有机存储器;以及布线,用来连接天线。多个存储单元中的每一个包括晶体管和存储元件。存储元件具有有机化合物层夹在第一导电层和第二导电层之间的结构。第二导电层是线条形状。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:具有包括多个存储单元的存储单元阵列的有机存储器;和用来控制所述有机存储器的控制电路,其中,所述多个存储单元中的每个都包括晶体管和存储元件,所述存储元件包括第一导电层、有机化合物层、和第二导电层,所述第二导电层由每个属于所述多个存储单元之一的存储元件所共用,并且形成为线条形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的