[发明专利]在以纳米线为基础的电子装置中用于栅极构造和改进触点的方法、系统和设备无效
| 申请号： | 200580043138.9 | 申请日： | 2005-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101401210A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 沙哈拉·莫斯特拉谢;陈建;弗朗西斯科·莱昂;潘尧令;L·T·罗马诺 | 申请（专利权）人： | 纳米系统公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了用于具有改进的栅极结构的电子装置的方法、系统和设备。电子装置包括至少一根纳米线。栅极触点沿所述至少一根纳米线的长度的至少一部分定位。电介质材料层在栅极触点与所述至少一根纳米线之间。源极触点和漏极触点与所述至少一根纳米线接触。源极触点和/或漏极触点的至少一部分沿纳米线长度与栅极触点重叠。在另一方面，电子装置包括具有由绝缘壳层围绕的半导体芯部的纳米线。环形第一栅极区沿纳米线的长度的一部分围绕纳米线。第二栅极区沿纳米线的长度定位在纳米线与衬底之间。源极触点和漏极触点连接到在半导体芯部的各个露出部分处的纳米线的半导体芯部。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 基础 电子 装置 用于 栅极 构造 改进 触点 方法 系统 设备 | ||
【主权项】：
1、一种电子装置，包括：至少一根纳米线；栅极触点，所述栅极触点沿所述至少一根纳米线的长度的至少一部分被定位；电介质材料层，所述电介质材料层位于所述栅极触点与所述至少一根纳米线之间；源极触点，所述源极触点与所述至少一根纳米线接触；漏极触点，所述漏极触点与所述至少一根纳米线接触；且其中所述源极触点和所述漏极触点中的至少一个的至少一部分与所述至少一根纳米线的所述长度的所述部分重叠。
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