[发明专利]用于高密度等离子体应用的高真空下的自冷却气体分配装置无效
申请号: | 200580043516.3 | 申请日: | 2005-12-12 |
公开(公告)号: | CN101133186A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 梁奇伟;路四清 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/50;C23C16/00;C23C16/505;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一用于半导体制程处理室(117)的气体分配器(400)。该气体分配器包括一气体入口(420)、一气体出口(516)、以及一具有螺纹(404)的杆部(402)。该气体分配器更包括一本体(414),其具有一自该杆部径向往外延伸的气体偏斜表面(410),以及一源自该气体偏斜表面、且设于该本体相对侧上的下表面;一设于该螺纹及该气体偏斜表面之间的横向座(406);以及一自该气体入口通过该杆部及本体而至气体出口的气体通道(512)。于一特定实施例中,该横向座是适于承托一密封组件(822)。 | ||
搜索关键词: | 用于 高密度 等离子体 应用 真空 冷却 气体 分配 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于半导体制程处理室的气体分配器,其至少包含:一气体入口;一气体出口;一杆部,具有一螺纹;一本体,具有一自该杆部径向往外延伸的气体偏斜表面,以及一源自该气体偏斜表面、且设于该本体相对侧上的下表面;一横向座,设于该螺纹及该气体偏斜表面之间;以及一气体通道,自该气体入口延伸通过该杆部及本体而至该气体出口。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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