[发明专利]编程、读取及擦除存储－二极管阵列中的存储－二极管的方法无效
| 申请号： | 200580043866.X | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101084555A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | C·S·比尔;S·卡扎;T－N·方;S·斯皮策 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储阵列(140)包括第一和第二组导体(142)、(144)以及数个存储－二极管(130)，各个存储－二极管顺向连接该第一组导体(BL)(142)和该第二组导体(WL)(144)。在顺向从高电位至低电位施加电位通过选择的存储－二极管(130)，预定编程该选择的存储－二极管(130)。在该预定编程期间，提供该阵列(140)中之各其它存储－二极管(130)在其顺向之通过其中之较其临界电压低的电位。藉由在反向从高电位至低电位施加通过存储－二极管(130)的电位可建立各存储－二极管(130)的临界电压。藉由如此建立足够的临界电压，以及藉由选择施加至该阵列(140)之导体之适当电位，可避免漏电流和干扰等相关问题。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 读取 擦除 存储 二极管 阵列 中的 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提供存储-二极管(130)的状态的方法，包括下列步骤：施加第一电位通过该存储-二极管(130)以提供存储-二极管(130)导电状态；以及施加第二电位通过该存储-二极管(130)以建立存储-二极管(130)临界电压。
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