[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管基板及其制造方法、使用该薄膜晶体管的液晶显示装置、有机EL显示装置及透明导电叠层基板无效
| 申请号： | 200580044212.9 | 申请日： | 2005-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101088166A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;松原雅人 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种方法，其降低作为透明电极的第2电极、和第1电极(栅、源、漏)的接触部的接触电阻，抑制电池反应。该方法包括下述工序：在透明绝缘性基板上使用铝合金而形成作为第1电极的薄膜晶体管的第1电极(源等)的工序；覆盖第1电极及基板而形成绝缘膜的工序；在绝缘膜上形成接触孔的工序；在绝缘膜上形成第2电极(透明电极)，并经由所述接触孔直接电连接第2电极和第1电极的工序，铝合金是含有Ni、和从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属的铝合金。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 使用 液晶 显示装置 有机 el 透明 导电 叠层基板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制法，其是在透明绝缘性基板上制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，包含在所述透明绝缘性基板上使用铝合金而形成作为第1电极的所述薄膜晶体管的栅、源及漏中的至少一个的工序，所述铝合金是下述铝合金，即含有：Ni；和从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属。
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