[发明专利]用于确定超热电子的局部发射率分布的方法无效

专利信息
申请号: 200580044397.3 申请日: 2005-12-15
公开(公告)号: CN101088309A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: 迪迪埃·马宗;奥利韦罗·巴拉纳;伊夫·佩松 申请(专利权)人: 法国原子能委员会
主分类号: H05H1/00 分类号: H05H1/00;H05H1/12
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;尚志峰
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及一种用于通过0阶贝塞尔函数Jo利用层析成象反演来确定超热电子的局部发射率分布的过程,该超热电子来自位于环形管中的电离气环,该0阶贝塞尔函数Jo利用通过当前的实时硬X射线诊断法得到的线积分测量值。
搜索关键词: 用于 确定 电子 局部 发射 分布 方法
【主权项】:
1.用于利用包括至少一个检测器的光谱测定系统来确定超热电子的局部发射率分布的方法,所述超热电子来自位于环形管中的被称作等离子体的电离气环,所述检测器相对于所述环形管设置以使所述检测器的视线与所述环形管的环形横截面及半径为“a”的所述电离气环的环形横截面相交,所述电离气环的环形横截面的中心偏离于所述环形管的环形横截面的中心,其特征在于,包括以下步骤:-计算0阶贝塞尔函数Jo的前NB个零点Z1,Z2,...,ZNB,-构建矩阵Jρ,其k行j列的元素为Jo(ρk*Zj),其中,Jo(ρk*Zj)是自变量(ρk*Zj)(k=1,2,...,NM以及j=1,2,...,NB)的0阶函数Jo,其中,ρk是所述等离子体的点PK与所述等离子体中心之间相对于半径“a”的归一化距离,所述矩阵Jρ如下:Aρ=Jρ*C,其中,Aρ是数组,其元素代表沿归一化等离子体半径ρ的发射率分布,以及C是矩阵的系数,-读取测量数据,所述测量数据包括表示沿视线通过检测器测量的等离子体积分发射率的等离子体发射率数据Y,以及包括大半径值Rp、垂直偏移值Zp、以及等离子体小半径“a”的等离子体中心坐标,-相对于以(Rp,0,Zp)为中心的坐标系计算与所述电离气环的横截面相交的视线线段的几何位置,-计算在所述视线线段上的NL个连续点P1,P2,...,PNL 的位置,P1和PNL是所述视线线段与所述电离气环横截面的边界相交的点,-计算点Pi(i=1,2,...,NL)和所述等离子体中心之间的距离ri,并计算归一化距离ρi=ri/a,-构建矩阵Jρi,其i行j列的元素是Jo(ρi*Zj),其中,Jo(ρi*Zj)是自变量ρi*Zj(i=1,2,...,NL以及j=1,2,...,NB)的0阶函数Jo,所述矩阵Jρi如下:Aρi=Jρi*C,其中,Aρi是表示沿归一化距离ρi的发射率分布的数组,以及C是所述矩阵的系数,-计算Jρi的每列j(j=1,2,...,NB)的积分Fj,如下:Fj=δ*∑i Jo(ρi* Zj)其中,δ是几何常数,以及i从1到NL,-计算矩阵F,如下:F=[F1 F2...FNB]-计算矩阵F-1,作为矩阵F的伪逆矩阵,-计算矩阵M,如下:M=(Jρ*F1)/EG其中,EG是检测器的几何延拓,-计算所述超热电子的局部发射率分布数组Aρ,如下:Aρ=M*Y/1000。
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