[发明专利]具有条形沟道的半导体器件及制造该器件的方法无效
| 申请号： | 200580044976.8 | 申请日： | 2005-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101091259A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 尤里·V·波诺马廖夫 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件(10)，包括衬底(11)和半导体本体(2)，所述半导体本体(2)包括其中形成场效应晶体管的硅条形半导体区(3、3A、3B)，其中，沿条形半导体区(3、3A、3B)的纵向观看，连续地设置第一导电类型的源极区(4)、与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道区(33)、以及第一导电类型的漏极区(5)，并且其中所述沟道区(33)配置有栅极电介质(6)，在所述栅极电介质(6)上第一栅电极(7)存在于条形半导体区(3、3A、3B)的第一垂直侧上，所述栅电极(7)配置有第一连接区(7A)，并且在所述栅极电介质(6)上第二栅电极(8)存在于位于与第一垂直侧相对的条形半导体区(3、3A、3B)的第二垂直侧上，所述第二栅电极(8)配置有第二连接区(8A)。根据本发明，在连接区(7A、8A)的宽度上，第一和第二栅电极(7、8)完全填充条形半导体区(3、3A、3B)任一侧上的空间。在优选实施例中，栅电极(7、8)每一个均与条形半导体区(3、3A、3B)的水平侧邻接。根据本发明的器件(10)非常紧凑，适合于亚45nm领域，并且易于制造。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 条形 沟道 半导体器件 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(10)，包括衬底(11)和半导体本体(2)，所述半导体本体(2)包括其中形成场效应晶体管的硅条形半导体区(3、3A、3B)，其中，沿条形半导体区(3、3A、3B)的纵向观看，连续地设置第一导电类型的源极区(4)、与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道区(33)、以及第一导电类型的漏极区(5)，并且其中所述沟道区(33)配置有栅极电介质(6)，在所述栅极电介质(6)上第一栅电极(7)存在于条形半导体区(3、3A、3B)的第一垂直侧上，所述栅电极(7)配置有第一连接区(7A)，并且在所述栅极电介质(6)上第二栅电极(8)存在于位于与条形半导体区(3、3A、3B)的第一垂直侧相对的条形半导体区的第二垂直侧上，所述第二栅电极(8)配置有第二连接区(8A)，其特征在于：在连接区(7A、8A)的宽度上，第一和第二栅电极(7、8)完全填充条形半导体区(3、3A、3B)任一侧上的空间。
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