[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200580045165.X | 申请日： | 2005-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101107698A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 盖尔·格伦;广田良浩;村木雄介;中村源志;栉引理人;新藤尚树;清水昭贵;芦垣繁雄;加藤良裕 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能；所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
